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第一部分考試說明
一、考試性質(zhì)
陶瓷材料學(xué)是我校為招收材料學(xué)專業(yè)博士研究生設(shè)置的專業(yè)考試課程。它的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)是高等學(xué)校材料學(xué)專業(yè)優(yōu)秀碩士畢業(yè)生能取得及格及以上成績(jī)。
考試對(duì)象為參加當(dāng)年全國(guó)博士研究生入學(xué)考試的準(zhǔn)考考生。

二、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
（一）答卷方式：閉卷，筆試
（二）答題時(shí)間；180分鐘
（三）各部分內(nèi)容的考試比例
陶瓷材料學(xué)  100%
（四）題型比例
簡(jiǎn)答題  約60%
分析/論述題  約40%

第二部分考查要點(diǎn)

第一章緒論
1.1陶瓷材料的定義
1.2陶瓷材料的發(fā)展史
1.3陶瓷材料的鍵特性與基本性能
1.4典型陶瓷材料及其應(yīng)用
陶瓷材料未來發(fā)展及關(guān)鍵問題

第二章陶瓷材料的晶體結(jié)構(gòu)
2.1離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則—鮑林規(guī)則
2.2幾種典型的晶體結(jié)構(gòu)
2.2.1MX結(jié)構(gòu)
2.2.2MX2結(jié)構(gòu)
2.2.3M2X結(jié)構(gòu)
2.2.4M2X3結(jié)構(gòu)
2.3硅酸鹽陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)
2.3.1硅酸鹽陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類
2.3.2島狀硅酸鹽陶瓷晶體結(jié)構(gòu)
2.3.3組群狀硅酸鹽陶瓷晶體結(jié)構(gòu)
2.3.4鏈狀硅酸鹽陶瓷晶體結(jié)構(gòu)
2.3.5層狀硅酸鹽陶瓷晶體結(jié)構(gòu)
2.3.6架狀硅酸鹽陶瓷晶體結(jié)構(gòu)

第三章非晶態(tài)與玻璃結(jié)構(gòu)
3.1非晶態(tài)原子結(jié)構(gòu)
3.1.1非晶態(tài)原子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
3.1.2非晶態(tài)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)表征方法
3.1.3非晶態(tài)物質(zhì)的熱學(xué)參數(shù)表征
3.1.4非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的制備方法
3.2氧化物玻璃
3.2.1硅酸鹽玻璃
3.2.2硼酸鹽玻璃
3.2.3磷酸鹽玻璃

第四章陶瓷材料的平衡相圖
4.1陶瓷系統(tǒng)相平衡特點(diǎn)
4.2單元系統(tǒng)相圖
4.2.1SiO2系統(tǒng)相圖
4.2.2ZrO2系統(tǒng)相圖

4.3二元系統(tǒng)相圖
4.3.1具有低共熔點(diǎn)的二元系統(tǒng)
4.3.2生成一致熔融化合物的二元系統(tǒng)
4.3.3生成不一致熔融化合物的二元系統(tǒng)
4.3.4固相中有化合物形成或分解的系統(tǒng)
4.3.5具有多晶轉(zhuǎn)變的系統(tǒng)
4.3.6具有液相分層的系統(tǒng)
4.3.7形成連續(xù)固溶體的系統(tǒng)
4.3.8形成不連續(xù)固溶體的系統(tǒng)

4.4三元系統(tǒng)相圖
4.4.1具有三元最低共熔點(diǎn)的系統(tǒng)
4.4.2生成一個(gè)一致熔融二元化合物的三元系統(tǒng)相圖
4.4.3生成一個(gè)不一致熔融二元化合物的三元系統(tǒng)
4.4.4生成一個(gè)固相分解的二元化合物的三元系統(tǒng)
4.4.5具有低溫穩(wěn)定的二元化合物的三元系統(tǒng)
4.4.6具有同組成熔融三元化合物的系統(tǒng)
4.4.7具有異組成熔融三元化合物的系統(tǒng)
4.4.8具有兩種液相分層的三化合物的系統(tǒng)

第五章陶瓷材料的燒結(jié)
5.1概述
5.2燒結(jié)動(dòng)力學(xué)
5.3固相燒結(jié)及機(jī)理
5.4液相燒結(jié)及機(jī)理
5.5陶瓷燒結(jié)的影響因素
5.6特色燒結(jié)方法及裝備

第六章陶瓷材料的脆性與增韌
6.1陶瓷材料的脆性機(jī)理
6.2陶瓷材料的增韌
6.2.1相變?cè)鲰g
6.2.2微裂紋增韌
6.2.3裂紋偏折和彎曲增韌
6.2.4裂紋分支增韌
6.2.5橋聯(lián)與拔出增韌
6.2.6延性顆粒增韌
6.2.7殘余應(yīng)力增韌
6.2.8壓電效應(yīng)損耗能量增韌
6.2.9電疇翻轉(zhuǎn)增韌
6.2.10復(fù)合韌化機(jī)制

第七章陶瓷材料的斷裂力學(xué)
7.1陶瓷斷裂強(qiáng)度的微裂紋理論
7.2裂紋尖端應(yīng)力和應(yīng)力場(chǎng)強(qiáng)度因子
7.3斷裂韌度的測(cè)量與計(jì)算

第八章先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷
8.1氧化鋁(Al2O3)結(jié)構(gòu)陶瓷
8.2氮化硅(Si3N4)結(jié)構(gòu)陶瓷
8.3碳化硅(SiC)/高溫結(jié)構(gòu)陶瓷
8.4增韌氧化物結(jié)構(gòu)陶瓷
8.5其他結(jié)構(gòu)陶瓷

博士研究生入學(xué)考試《半導(dǎo)體物理》考試大綱（科目代碼：2207）

第一部分考試說明
一、考試性質(zhì)
全國(guó)博士研究生入學(xué)考試是為高等學(xué)校招收博士研究生而設(shè)置的。它的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)是高等學(xué)校優(yōu)秀碩士畢業(yè)生能達(dá)到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有基本的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)并有利于在專業(yè)上擇優(yōu)選拔。
考試對(duì)象為參加當(dāng)年全國(guó)博士研究生入學(xué)考試的碩士畢業(yè)生，或具有同等學(xué)力的在職人員。

二、考試的學(xué)科范圍
考試內(nèi)容包括：半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、非平衡載流子、pn結(jié)、金屬和半導(dǎo)體的接觸、半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象、半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)。
考查要點(diǎn)詳見本綱第二部分。

三、評(píng)價(jià)目標(biāo)
本課程考試的目的是考察考生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎(chǔ)知識(shí)解決電子科學(xué)與技術(shù)相關(guān)問題的能力。
四、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
1答卷方式：閉卷，筆試。
2答題時(shí)間：180分鐘。
3各部分內(nèi)容的考查比例：滿分100分

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、雜質(zhì)和缺陷能級(jí)約20%；
半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、導(dǎo)電性約30%；
非平衡載流子、p－n結(jié)、金屬－半導(dǎo)體接觸約30%；
半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)約10%；
半導(dǎo)體光、電、熱特性約10%。

4題型比例：
簡(jiǎn)答題（包括概念、判斷題、填空）45%；證明題10%、作圖及說明題15%、計(jì)算題10%、論述題20%。

第二部分考查要點(diǎn)
1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)；半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)、有效質(zhì)量；本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)、空穴；回旋共振；硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)；Ⅲ–Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)；Ⅱ–Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)；Si1-xGex合金的能帶；寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)；氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中的雜質(zhì)能級(jí)；缺陷、位錯(cuò)能級(jí)。
3半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
狀態(tài)密度；費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布；本征半導(dǎo)體的載流子濃度；雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度；一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布；簡(jiǎn)并半導(dǎo)體；電子占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)的概率。

4半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和遷移率；載流子的散射；遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；玻耳茲曼方程、電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論；強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)、熱載流子；多能谷散射、耿氏效應(yīng)。
5非平衡載流子
非平衡載流子的注入與復(fù)合；非平衡載流子的壽命；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；復(fù)合理論；陷阱效應(yīng)；載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；載流子的漂移擴(kuò)散，愛因斯坦關(guān)系式；連續(xù)性方程式；硅的少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長(zhǎng)度。

6pn結(jié)
pn結(jié)及其能帶圖；pn結(jié)電流電壓特性；pn結(jié)電容；pn結(jié)擊穿；pn結(jié)隧道效應(yīng)。
7金屬和半導(dǎo)體接觸
金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖；金屬半導(dǎo)體接觸整流理論；少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸。
8半導(dǎo)體表面和MIS結(jié)構(gòu)
表面態(tài)；表面電場(chǎng)效應(yīng)；MIS結(jié)構(gòu)的C–V特性；硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)；表面電導(dǎo)及遷移率；表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響。
9半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖；半導(dǎo)體異質(zhì)pn結(jié)的電流電壓特性及注入特性；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性；半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)；GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體超晶格。

10半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象
半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)；半導(dǎo)體的光吸收；半導(dǎo)體的光電導(dǎo)；半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)；半導(dǎo)體發(fā)光；半導(dǎo)體激光；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)在光電子器件中的應(yīng)用。

11半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)
熱電效應(yīng)的一般描述；半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)率；半導(dǎo)體的珀耳帖效應(yīng)；半導(dǎo)體的湯姆遜效應(yīng)；半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率；半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用。
第三部分考試樣題（略）

博士研究生入學(xué)考試《高分子化學(xué)（二）》考試大綱

第一部分考試說明

一、考試性質(zhì)
高分子化學(xué)（材料類）考試科目是我校為招收材料學(xué)、材料加工工程專業(yè)博士研究生而設(shè)置的，由我校材料科學(xué)與工程學(xué)院命題。考試的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)是普通高等學(xué)?；瘜W(xué)、化工、材料及相近專業(yè)優(yōu)秀碩士畢業(yè)生能達(dá)到的及格或及格以上水平。

考試對(duì)象為符合國(guó)家教育部及我校招收博士研究生有關(guān)規(guī)定的參加全國(guó)碩士研究生入學(xué)統(tǒng)一考試的各類人員。
二、考試的學(xué)科范圍
應(yīng)考范圍包括：高分子的基本概念、聚合物的分類與命名、自由基聚合、自由基共聚合、逐步聚合、離子聚合、配位聚合、聚合方法、聚合物的化學(xué)反應(yīng)、聚合物的分析與表征等。

三、評(píng)價(jià)目標(biāo)
高分子化學(xué)是高分子化工、高分子材料及相關(guān)專業(yè)的重要專業(yè)基礎(chǔ)課。本課程考試旨在考查考生是否了解高分子學(xué)科的基本特點(diǎn)及高分子化學(xué)的基本概念、基本理論，是否掌握了常見聚合類型的基本原理、基本特點(diǎn)及應(yīng)用，是否了解常用的聚合方法和高聚物的表征手段。

四、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
(一)答卷方式：閉卷，筆試；
(二)答題時(shí)間：180分鐘；
(三)各部分內(nèi)容的考查比例（滿分為100分）
高分子的基本概念： 約10%
自由基聚合： 約15%
自由基共聚合： 約15%
逐步聚合： 約15%
離子聚合與配位聚合： 約15%
聚合方法： 約5%
聚合物的化學(xué)反應(yīng)： 約10%
高聚合的分析與表征： 約10%
高分子化學(xué)文獻(xiàn)及進(jìn)展：約5%

(四)題型比例
名詞解釋 約25%
填空題 約15%
問答題 約30%
計(jì)算題 約30%

第二部分考查要點(diǎn)
一、高分子的基本概念
1.聚合物的分類與命名
2.聚合物的物理狀態(tài)和主要性能
3.聚合物材料和機(jī)械強(qiáng)度

二、自由基聚合
1.自由基聚合機(jī)理
2.鏈引發(fā)反應(yīng)
3.聚合速率
4.分子量和鏈轉(zhuǎn)移反應(yīng)
5.阻聚和緩聚
6.反應(yīng)速率常數(shù)的測(cè)定

三、自由基共聚合
1.共聚物的類型和命名
2.二元共聚物的組成
3.竟聚率的測(cè)定和影響因素
4.單體和自由基的活性
5.Q-e概念

四、逐步聚合
1.縮聚反應(yīng)
2.線型縮聚反應(yīng)的機(jī)理及動(dòng)力學(xué)
3.影響線型縮物聚合度的因素和控制方法
4.線型逐步聚合原理和方法的應(yīng)用及重要線型逐步聚合物
5.體型縮聚
6.凝膠化作用的凝膠點(diǎn)

五、離子聚合
1.陽(yáng)離子聚合的單體、引發(fā)體系引發(fā)作用
2.陽(yáng)離子聚合機(jī)理及特點(diǎn)
3.陽(yáng)離子聚合的影響因素
4.陰離子聚合的單體、引發(fā)體系及引發(fā)作用
5.陰離子聚合引發(fā)劑與單體的匹配
6.陰離子聚合的特點(diǎn)
7.自由基聚合與離子聚合的比較
8.工業(yè)上重要的開環(huán)聚合

六、配位聚合
1.引發(fā)劑的類型和作用
2.聚合物的立構(gòu)規(guī)整性
3.Ziegler-Natta引發(fā)劑
4.a-烯烴的配位陰離子聚合

七、聚合方法
1.本體聚合
2.溶液聚合
3.懸浮聚合
4.乳液聚合

八、聚合物的化學(xué)反應(yīng)
1.聚合物的反應(yīng)活性及影響因素
2.聚合物的相似轉(zhuǎn)變
3.功能高分子
4.聚合物的降解
5.聚合物的老化與防老

九、高聚物的分析與表征
1.質(zhì)譜法
2.熱解氣相色譜法
3.紅外與拉曼光譜
4.核磁共振法
5.X射線衍射和X光小角散射法
十、高分子化學(xué)文獻(xiàn)與進(jìn)展
第三部分考試樣題（略）